-
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း စမ်းသပ်ကိရိယာအတွက် ကြွေထည် အပိုပစ္စည်းများ
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
ကြွေပြား တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း သယ်ဆောင်စက်
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ကြွေထည် အပိုပစ္စည်းများ
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
အပူချိန်မြင့် အခန်းပိတ်ခြင်းအတွက် သန့်စင်သော အလူမီနာ ကြွေထည် တံဆိပ်ခတ်ကွင်း
St.Cera ရဲ့ ကြွေထည်အဖုံးကွင်းကို အီလက်စတိုမာတွေ ယိုယွင်းပျက်စီးတဲ့ အလွန်အမင်းပတ်ဝန်းကျင်တွေမှာ ပိုလီမာ O-ring တွေအတွက် အစားထိုးအဖြစ် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါတယ်။ ၉၉.၈% မြင့်မားတဲ့သန့်စင်မှုရှိတဲ့ အလူမီနာ (Al₂O₃) မှ ထုတ်လုပ်ထားတဲ့ ဒီမာကျောတဲ့ အဖုံးကွင်းကို static sealing applications တွေမှာ အသုံးပြုလေ့ရှိပါတယ် — ပုံမှန်အားဖြင့် ပျော့ပျောင်းတဲ့သတ္တု ဒါမှမဟုတ် ဂရပ်ဖိုက် gasket နဲ့ တွဲဖက်အသုံးပြုလေ့ရှိပါတယ် — 800°C အထိ အပူချိန်နဲ့ ပြင်းထန်တဲ့ ပလာစမာ ဒါမှမဟုတ် ဓာတုပတ်ဝန်းကျင်တွေမှာ ယုံကြည်စိတ်ချရတဲ့ vacuum ဒါမှမဟုတ် ဓာတ်ငွေ့ထိန်းချုပ်နိုင်စွမ်းကို ပေးစွမ်းနိုင်ပါတယ်။ ဒီပစ္စည်းက ဓာတ်ငွေ့ထွက်ရှိမှု လုံးဝမရှိခြင်း၊ မြင့်မားတဲ့ compressive strength (အခြေခံ flexural strength 361 MPa) နဲ့ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ မတည်မငြိမ်ဖြစ်မှု (HF မှလွဲ၍ ဟေလိုဂျင်၊ အက်ဆစ်နဲ့ အယ်ကာလီတွေကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း) တို့ကို ပေးစွမ်းပါတယ်။ တိကျစွာဖုံးအုပ်ထားတဲ့ အဖုံးမျက်နှာပြင်များ (ပြားချပ်မှု ≤5 μm၊ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု Ra ≤0.2 μm) က သတ္တု ဒါမှမဟုတ် ကြွေထည်အစိတ်အပိုင်းတွေနဲ့ ယိုစိမ့်မှုကင်းတဲ့ ထိတွေ့မှုကို သေချာစေပါတယ်။
-
Plasma Etch & CVD စနစ်များအတွက် မြင့်မားသောသန့်စင်မှု အလူမီနာ အခန်း အာရုံစူးစိုက်မှု လက်စွပ်
St.Cera ရဲ့ chamber focus ring ဟာ plasma etch၊ CVD နဲ့ PVD semiconductor စက်ပစ္စည်းတွေမှာ အသုံးပြုတဲ့ အရေးကြီးတဲ့ process kit အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်ပါတယ်။ ၉၉.၈% မြင့်မားတဲ့ purity alumina (Al₂O₃) မှ ထုတ်လုပ်ထားတဲ့ ဒီ ring ဟာ wafer အနားကို ဝန်းရံထားပြီး plasma ကို ကန့်သတ်ပြီး ion angular distribution ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ပေးတာကြောင့် wafer မျက်နှာပြင်တစ်လျှောက် etch uniformity ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပါတယ်။ ဒီပစ္စည်းဟာ plasma resistance မြင့်မားခြင်း၊ dielectric strength မြင့်မားခြင်း (15×10⁶ V/m) နဲ့ 1600°C အထိ thermal stability မြင့်မားခြင်းတို့ကို ပေးစွမ်းပြီး fluorine ဒါမှမဟုတ် chlorine-based plasma ပတ်ဝန်းကျင်တွေမှာ ရေရှည်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သေချာစေပါတယ်။ တိကျစွာ ground လုပ်ထားတဲ့ ID/OD နဲ့ flatness (≤10 μm) ကြောင့် wafer အနားကို တိကျစွာ positioning လုပ်နိုင်ပြီး အနား defect တွေနဲ့ particle တွေ ဖြစ်ပေါ်မှုကို လျော့ကျစေပါတယ်။
-
CVD / PVD လုပ်ငန်းစဉ်အခန်းများအတွက် မြင့်မားသောသန့်စင်မှု အလူမီနာကြွေလက်စွပ်
St.Cera ရဲ့ ကြွေထည်ကွင်းကို CVD (ဓာတုဗေဒ အငွေ့စုပုံခြင်း) နဲ့ PVD (ရူပဗေဒ အငွေ့စုပုံခြင်း) လုပ်ငန်းစဉ် အခန်းတွေမှာ အသုံးပြုရန် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါတယ်။ ၉၉.၈% မြင့်မားတဲ့ သန့်ရှင်းမှုရှိတဲ့ အလူမီနာ (Al₂O₃) မှ ထုတ်လုပ်ထားတဲ့ ဒီကွင်းဟာ အခန်းအတွင်းခံ၊ အာရုံစူးစိုက်မှုကွင်း ဒါမှမဟုတ် လုပ်ငန်းစဉ်ကိရိယာ အစိတ်အပိုင်းအဖြစ် ပလာစမာကို ကန့်သတ်ပြီး အခန်းနံရံတွေကို တိုက်စားမှုကနေ ကာကွယ်ပေးပါတယ်။ ဒီပစ္စည်းက ပလာစမာကို ခံနိုင်ရည်ကောင်းမွန်ခြင်း၊ မြင့်မားတဲ့ dielectric strength (15×10⁶ V/m) နဲ့ ၁၆၀၀°C အထိ အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုတို့ကို ပေးစွမ်းပြီး ပြင်းထန်တဲ့ ဖလိုရင်းအခြေခံ ပလာစမာပတ်ဝန်းကျင်မှာ ကြာရှည်ခံတဲ့ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သေချာစေပါတယ်။ တိကျတဲ့ အတိုင်းအတာ ခံနိုင်ရည်ရှိမှု (ID/OD မှာ ±0.05 mm) နဲ့ ပြားချပ်မှု (≤10 μm) တို့က wafer အနားသတ်တွေကို တသမတ်တည်း ထားရှိနိုင်စေပြီး deposition ညီညာမှုကို တိုးတက်စေပြီး အမှုန်ထုတ်လုပ်မှုကို လျှော့ချပေးပါတယ်။
-
Bernoulli Ceramic End Effector — ပါးလွှာပြီး ပျက်စီးလွယ်သော Wafer များအတွက် ထိတွေ့မှုမရှိသော Wafer ကိုင်တွယ်ခြင်း
St.Cera ရဲ့ Bernoulli ကြွေထည် end effector ဟာ aerodynamic lift ကို အသုံးပြုပြီး ဝေဖာတွေကို ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ထိတွေ့မှုမရှိဘဲ ကိုင်တွယ်ပါတယ်။ မြင့်မားတဲ့ သန့်ရှင်းမှု 99.8% alumina (Al₂O₃) သို့မဟုတ် silicon carbide (SiC) မှ ထုတ်လုပ်ထားပြီး၊ end effector နဲ့ ဝေဖာကြားမှာ ပါးလွှာတဲ့ လေအလွှာတစ်ခု ဖန်တီးဖို့ ဖိအားပေးထားတဲ့ ဓာတ်ငွေ့တွေကို ထုတ်လွှတ်တဲ့ တိကျတဲ့ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ nozzle တွေ ပါရှိပါတယ်။ ဒီ ထိတွေ့မှုမရှိတဲ့ နိယာမဟာ နောက်ဘက်ညစ်ညမ်းမှု၊ အနားသားကွဲအက်မှုနဲ့ မျက်နှာပြင်ပျက်စီးမှုတွေကို ဖယ်ရှားပေးပြီး ပါးလွှာတဲ့ (≤100 μm)၊ ပျက်စီးလွယ်တဲ့ ဒါမှမဟုတ် ကောက်ကွေးနေတဲ့ ဝေဖာတွေအတွက် အသင့်တော်ဆုံး ဖြစ်စေပါတယ်။ ကြွေထည်အလွှာဟာ မြင့်မားတဲ့ flexural strength (Al₂O₃ အတွက် 361 MPa; SiC အတွက် 550–600 MPa အထိ)၊ အလေးချိန်နည်းခြင်းနဲ့ အလွန်ကောင်းမွန်တဲ့ dimensional stability ကို ပေးစွမ်းတာကြောင့် မြန်နှုန်းမြင့် ဝေဖာလွှဲပြောင်းစက်ရုပ်တွေမှာ ထပ်ခါတလဲလဲ နေရာချထားနိုင်မှုကို သေချာစေပါတယ်။
-
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး အသုံးချမှုများအတွက် မြင့်မားသောသန့်စင်သော အလူမီနာ ကြွေထည်အစိတ်အပိုင်းများ
St.Cera သည် ဖောက်သည်များ၏ သတ်မှတ်ချက်များအတိုင်း တိကျစွာ စက်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော alumina (Al₂O₃) ကြွေထည် အစိတ်အပိုင်းများကို ထုတ်လုပ်ပါသည်။ ၉၉.၈% မြင့်မားသော သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုရှိသော alumina ကို အသုံးပြုထားသော ဤအစိတ်အပိုင်းများသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော ကွေးညွှတ်အား (361 MPa)၊ မြင့်မားသော မာကျောမှု (16 GPa) နှင့် ထူးချွန်သော dielectric အား (15×10⁶ V/m) ကို ပေးစွမ်းပါသည်။ semiconductor စက်ပစ္စည်းများ၊ ဝတ်ဆင်မှုဒဏ်ခံနိုင်သော assembly များ၊ လျှပ်စစ် insulator များနှင့် အပူချိန်မြင့် fixtures များအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော ဤပစ္စည်းသည် ရေစုပ်ယူမှု သုညနီးပါး (0%) နှင့် 7.2×10⁻⁶/℃ ၏ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းကို ပေးစွမ်းပြီး အလွန်အမင်းအခြေအနေများတွင် အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုကို သေချာစေသည်။
-
ကောက်ကွေးနေသော ဝေဖာကိုင်တွယ်ရန်အတွက် အပေါက်များသော ကြွေဖုန်စုပ်ချပ်
St.Cera ရဲ့ porous ceramic chuck ကို open porosity 30–45% နဲ့ pore size 10 မှ 100 μm အထိရှိတဲ့ high-purity alumina နဲ့ ပြုလုပ်ထားပါတယ်။ ရိုးရာ grooved chuck တွေနဲ့မတူဘဲ porous မျက်နှာပြင်က wafer နောက်ကျောတစ်ခုလုံးမှာ ဖြန့်ဝေထားတဲ့ vacuum ကို ပေးစွမ်းပြီး ကွေးညွှတ်နေတဲ့၊ ပါးလွှာတဲ့ ဒါမှမဟုတ် singled wafers တွေကို အနားသတ်တွေ မတက်ဘဲ ထိရောက်စွာ ထိန်းထားပေးပါတယ်။ နူးညံ့တဲ့ vacuum (restrictor မှတစ်ဆင့် ချိန်ညှိနိုင်တဲ့) က backside marking ကိုလည်း ကာကွယ်ပေးပါတယ်။
-
ပါးလွှာသော ဝေဖာကိုင်တွယ်မှုအတွက် အလူမီနာအခြေခံ အပေါက်များသော ကြွေထည်ဗန်းချွတ်
St.Cera ရဲ့ အလူမီနာအခြေခံ porous chuck ကို ၉၉.၆% မြင့်မားတဲ့ သန့်ရှင်းမှုရှိတဲ့ Al₂O₃ နဲ့ ပြုလုပ်ထားပြီး ၃၀-၄၅% ထိန်းချုပ်ထားတဲ့ open porosity နဲ့ ၁၀ မှ ၅၀ μm အထိ တစ်ပြေးညီ pore size ရှိပါတယ်။ grooved chuck တွေနဲ့ မတူဘဲ porous မျက်နှာပြင်က wafer နောက်ကျောတစ်ခုလုံးမှာ ဖြန့်ဝေထားတဲ့ vacuum ကို ပေးစွမ်းပြီး အနားသတ်တွေကို ဖယ်ရှားပေးပြီး အလွန်ပါးလွှာတဲ့ (≤၁၀၀ μm) ဒါမှမဟုတ် ကွေးညွှတ်နေတဲ့ wafers တွေကို ညင်သာစွာ ကိုင်တွယ်နိုင်ပါတယ်။ ဒီပစ္စည်းက flexural strength ≥250 MPa နဲ့ လေထဲမှာ ၄၀၀°C အထိ thermal stability ကို ပေးစွမ်းပါတယ်။
-
CVD/PVD ရေချိုးခေါင်းအတွက် အလူမီနာဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးရေးပြား
St.Cera ရဲ့ ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးရေးပြား (ရေချိုးခန်းခေါင်း) ကို မြင့်မားတဲ့သန့်စင်မှု ၉၉.၈% အလူမီနာကြွေထည်နဲ့ တိကျစွာပြုလုပ်ထားပါတယ်။ ၎င်းမှာ CVD၊ PVD သို့မဟုတ် ALD လုပ်ငန်းစဉ်များအတွင်း wafer မျက်နှာပြင်တစ်လျှောက် ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုကို တစ်ပြေးညီဖြစ်စေမယ့် မိုက်ခရိုအပေါက်များ (အချင်း ၀.၃–၁.၅ မီလီမီတာ) အများအပြားပါရှိပါတယ်။ ပြားရဲ့ မြင့်မားတဲ့ dielectric strength (>15×10⁶ V/m) နဲ့ plasma resistance က semiconductor thin-film deposition အတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါတယ်။
-
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လုပ်ငန်းစဉ် တပ်ဆင်ပစ္စည်းများအတွက် ကြွေထောက်ပံ့တံ
St.Cera ရဲ့ ကြွေထည်ထောက်ပံ့တံများ (lift pins သို့မဟုတ် support pins ဟုလည်းလူသိများသည်) ကို semiconductor process chambers များတွင် ကိုင်တွယ်ခြင်း၊ အပူပေးခြင်း သို့မဟုတ် အအေးပေးခြင်းပြုလုပ်စဉ်အတွင်း wafers သို့မဟုတ် substrates များကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ 99.8% alumina သို့မဟုတ် silicon nitride မှထုတ်လုပ်ထားသော ဤတံများသည် မြင့်မားသော compressive strength၊ thermal stability နှင့် chemical resistance တို့ကို ပေးစွမ်းသည်။ hemispherical သို့မဟုတ် flat tip ဒီဇိုင်းသည် wafer ခြစ်ရာများကို ကာကွယ်ပေးသည်။
