-
ST.CERA စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော semiconductor ကြွေပြား bushing
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းစက်ကွင်း၏ အရေးကြီးသောလုပ်ငန်းစဉ်ကို သန့်ရှင်းသောအခန်းတွင် လုပ်ဆောင်ရန် လိုအပ်ပြီး၊ အထူးသဖြင့် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ လေဟာနယ်နှင့် ချေးတက်နိုင်သောဓာတ်ငွေ့အခြေအနေများတွင် အသုံးပြုသင့်သော ကိရိယာများအတွက်ဖြစ်သည်။ ကြွေထည်များသည် ရှုပ်ထွေးသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒပတ်ဝန်းကျင်တွင် မြင့်မားသောတည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်။
-
ST.CERA စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော semiconductor ပစ္စည်းကိရိယာများ ကြွေချပ်များ
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းစက်ကွင်း၏ အရေးကြီးသောလုပ်ငန်းစဉ်ကို သန့်ရှင်းသောအခန်းတွင် လုပ်ဆောင်ရန် လိုအပ်ပြီး၊ အထူးသဖြင့် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ လေဟာနယ်နှင့် ချေးတက်နိုင်သောဓာတ်ငွေ့အခြေအနေများတွင် အသုံးပြုသင့်သော ကိရိယာများအတွက်ဖြစ်သည်။ ကြွေထည်များသည် ရှုပ်ထွေးသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒပတ်ဝန်းကျင်တွင် မြင့်မားသောတည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်။
-
ST.CERA စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ကြွေပြား
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းစက်ကွင်း၏ အရေးကြီးသောလုပ်ငန်းစဉ်ကို သန့်ရှင်းသောအခန်းတွင် လုပ်ဆောင်ရန် လိုအပ်ပြီး၊ အထူးသဖြင့် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ လေဟာနယ်နှင့် ချေးတက်နိုင်သောဓာတ်ငွေ့အခြေအနေများတွင် အသုံးပြုသင့်သော ကိရိယာများအတွက်ဖြစ်သည်။ ကြွေထည်များသည် ရှုပ်ထွေးသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒပတ်ဝန်းကျင်တွင် မြင့်မားသောတည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်။
-
ST.CERA စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော semiconductor ကြွေ focus ring
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းစက်ကွင်း၏ အရေးကြီးသောလုပ်ငန်းစဉ်ကို သန့်ရှင်းသောအခန်းတွင် လုပ်ဆောင်ရန် လိုအပ်ပြီး၊ အထူးသဖြင့် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ လေဟာနယ်နှင့် ချေးတက်နိုင်သောဓာတ်ငွေ့အခြေအနေများတွင် အသုံးပြုသင့်သော ကိရိယာများအတွက်ဖြစ်သည်။ ကြွေထည်များသည် ရှုပ်ထွေးသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒပတ်ဝန်းကျင်တွင် မြင့်မားသောတည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်။
-
ST.CERA စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော Semiconductor ကြွေထည် အာရုံစူးစိုက်မှု လက်စွပ်
မြင့်မားသောသန့်စင်မှု (99.5% အထက်) အလူမီနာကြွေထည်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic ဖိသိပ်မှုဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintering လုပ်ကာ တိကျစွာစက်ဖြင့်ပွတ်တိုက်ထားသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ၎င်း၏ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။
အပူချိန်မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ချေးခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ပွတ်တိုက်မှုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းနှင့် အပူလျှပ်ကာမှုစွမ်းရည်များပါဝင်သောကြောင့် ကြွေထည်ပစ္စည်းများသည် အပူချိန်မြင့်မားခြင်း၊ လေဟာနယ် သို့မဟုတ် ချေးနိုင်သောဓာတ်ငွေ့အခြေအနေတွင် အချိန်ကြာမြင့်စွာ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုပစ္စည်းကိရိယာများစွာတွင် အလုပ်လုပ်နိုင်သည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
ST.CERA စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော Semiconductor တိကျသော အလူမီနာ ကြွေပြား ဘူရှ်
မြင့်မားသောသန့်စင်မှု (99.5% အထက်) အလူမီနာကြွေထည်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic ဖိသိပ်မှုဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintering လုပ်ကာ တိကျစွာစက်ဖြင့်ပွတ်တိုက်ထားသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ၎င်း၏ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။
အပူချိန်မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ချေးခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ပွတ်တိုက်မှုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းနှင့် အပူလျှပ်ကာမှုစွမ်းရည်များပါဝင်သောကြောင့် ကြွေထည်ပစ္စည်းများသည် အပူချိန်မြင့်မားခြင်း၊ လေဟာနယ် သို့မဟုတ် ချေးနိုင်သောဓာတ်ငွေ့အခြေအနေတွင် အချိန်ကြာမြင့်စွာ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုပစ္စည်းကိရိယာများစွာတွင် အလုပ်လုပ်နိုင်သည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
အလူမီနာ ကြွေထည် အဆုံးအကျိုးသက်ရောက်မှုရှိသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အစိတ်အပိုင်းများ
ဝေဖာများကို သယ်ယူပို့ဆောင်စဉ် သို့မဟုတ် End Effector / Handling Arm နှင့် ထိတွေ့နေစဉ်တွင် ထောင့်စွန်း သို့မဟုတ် ထောင့်စွန်းများနှင့် နောက်ကျောမျက်နှာပြင်မှ ထွက်လာနိုင်သော အမှုန်များကို ကာကွယ်ပါ။
လမ်းညွှန်များအတွက်၊ ဝေဖာကို မပျက်စီးစေသော ပျော့ပျောင်းသောပစ္စည်းကို အသုံးပြုထားသည်။
ကော်မသုံးသော ST.CERA ၏ built-in vacuum channel နည်းပညာဖြင့် ပါးလွှာစေနိုင်သည်။
စက်ရုပ်ပေါ်တွင် End Effector / Handling Arm တပ်ဆင်ထားသည့် အောက်ခြေ၏ အရှည်နှင့် အနံကို ပြောင်းလဲခြင်းနှင့် တပ်ဆင်ရန် အပေါက်များ ပြုလုပ်ခြင်း ဖြစ်နိုင်သည်။
အာရုံခံကိရိယာများ၊ ဝက်အူများနှင့် ဘရက်ကက်များတပ်ဆင်ခြင်းကို ရွေးချယ်မှုအဖြစ် ရရှိနိုင်ပါသည်။
လေထုထဲတွင် အသုံးပြုနိုင်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။
-
အပူချိန်မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်ရှိသော တိကျသော အလူမီနာကြွေထည်ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများ
ကြွေဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများဆိုသည်မှာ ကြွေအစိတ်အပိုင်းများ၏ ရှုပ်ထွေးသောပုံသဏ္ဍာန်အမျိုးမျိုးကို ယေဘုယျအသုံးအနှုန်းဖြစ်သည်။ ၎င်းကို ခြောက်သွေ့သောဖိအား သို့မဟုတ် အအေးခံထားသော isostatic ဖိအားဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် sintered လုပ်ကာ တိကျစွာစက်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 400°C~800°C အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
အလူမီနာကြွေထည်ဖွဲ့စည်းပုံအစိတ်အပိုင်းများအတွက် မြင့်မားသောတိကျမှုနှင့်ရှုပ်ထွေးသောကြွေထည်များ
ကြွေဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများဆိုသည်မှာ ကြွေအစိတ်အပိုင်းများ၏ ရှုပ်ထွေးသောပုံသဏ္ဍာန်အမျိုးမျိုးကို ယေဘုယျအသုံးအနှုန်းဖြစ်သည်။ ၎င်းကို ခြောက်သွေ့သောဖိအား သို့မဟုတ် အအေးခံထားသော isostatic ဖိအားဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် sintered လုပ်ကာ တိကျစွာစက်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 400°C~800°C အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
အလူမီနာကြွေထည်ဖွဲ့စည်းပုံအစိတ်အပိုင်းများ၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာပစ္စည်းကိရိယာများအတွက် အပိုပစ္စည်းများ
ကြွေဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများဆိုသည်မှာ ကြွေအစိတ်အပိုင်းများ၏ ရှုပ်ထွေးသောပုံသဏ္ဍာန်အမျိုးမျိုးကို ယေဘုယျအသုံးအနှုန်းဖြစ်သည်။ ၎င်းကို ခြောက်သွေ့သောဖိအား သို့မဟုတ် အအေးခံထားသော isostatic ဖိအားဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် sintered လုပ်ကာ တိကျစွာစက်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 400°C~800°C အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
အလူမီနာ ကြွေပြား လျှပ်ကာ ကြွေထည် ဖွဲ့စည်းပုံ အစိတ်အပိုင်းများ
ကြွေဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများဆိုသည်မှာ ကြွေအစိတ်အပိုင်းများ၏ ရှုပ်ထွေးသောပုံသဏ္ဍာန်အမျိုးမျိုးကို ယေဘုယျအသုံးအနှုန်းဖြစ်သည်။ ၎င်းကို ခြောက်သွေ့သောဖိအား သို့မဟုတ် အအေးခံထားသော isostatic ဖိအားဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် sintered လုပ်ကာ တိကျစွာစက်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 400°C~800°C အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
မြင့်မားသော တိကျမှုရှိသော ကြွေထည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အစိတ်အပိုင်းများ
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
