-
Al2O3 ကြွေပြားချပ်ချပ် Chuck ၏ စိတ်ကြိုက်ပြုပြင်ခြင်း
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
ST.CERA စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ကြွေပြား
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
၃၀၀ မီလီမီတာ ဝေဖာ လုပ်ငန်းစဉ်အတွက် ၁၂ လက်မ အလူမီနာ ဖုန်စုပ်ချပ်
St.Cera ရဲ့ ၁၂ လက်မ ဖုန်စုပ်ချပ်ကို ၃၀၀ မီလီမီတာ ဝေဖာကိုင်တွယ်မှုအတွက် ၉၉.၈% မြင့်မားတဲ့သန့်စင်မှုရှိတဲ့ အလူမီနာ (Al₂O₃) နဲ့ တိကျစွာတည်ဆောက်ထားပါတယ်။ ချပ်မှာ ၃၀၀ မီလီမီတာ အချင်းတစ်ခုလုံးမှာ ဖုန်စုပ်စက်ကို တစ်ပြေးညီဖြန့်ဝေပေးနိုင်အောင် ချောမွေ့တဲ့ မြောင်းမျက်နှာပြင် (မြောင်းအကျယ် ၀.၅–၁.၀ မီလီမီတာ၊ ထောင့် ၂–၃ မီလီမီတာ) ပါရှိပါတယ်။ ပြားချပ်မှုကို ၅ μm အတွင်း ထိန်းသိမ်းထားတာကြောင့် 깍둑썰기 လုပ်ခြင်း၊ နောက်ဘက်ကြိတ်ခွဲခြင်းနဲ့ စစ်ဆေးခြင်းတွေလုပ်တဲ့အခါ ဖုန်စုပ်စက်ကို ကွေးညွှတ်ခြင်းကင်းဝေးစေပါတယ်။ ပစ္စည်းရဲ့ မြင့်မားတဲ့ကွေးညွှတ်အား (၃၆၁ MPa) နဲ့ မာကျောမှု (၁၆ GPa) တို့က ဖုန်စုပ်စက်ဝန်းတွေ ထပ်ခါတလဲလဲလုပ်တဲ့အခါမှာတောင် ရေရှည်အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုကို အာမခံပါတယ်။
-
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း စမ်းသပ်ကိရိယာအတွက် ကြွေထည် အပိုပစ္စည်းများ
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
ကြွေပြား တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း သယ်ဆောင်စက်
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ကြွေထည် အပိုပစ္စည်းများ
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
အပူချိန်မြင့် အခန်းပိတ်ခြင်းအတွက် သန့်စင်သော အလူမီနာ ကြွေထည် တံဆိပ်ခတ်ကွင်း
St.Cera ရဲ့ ကြွေထည်အဖုံးကွင်းကို အီလက်စတိုမာတွေ ယိုယွင်းပျက်စီးတဲ့ အလွန်အမင်းပတ်ဝန်းကျင်တွေမှာ ပိုလီမာ O-ring တွေအတွက် အစားထိုးအဖြစ် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါတယ်။ ၉၉.၈% မြင့်မားတဲ့သန့်စင်မှုရှိတဲ့ အလူမီနာ (Al₂O₃) မှ ထုတ်လုပ်ထားတဲ့ ဒီမာကျောတဲ့ အဖုံးကွင်းကို static sealing applications တွေမှာ အသုံးပြုလေ့ရှိပါတယ် — ပုံမှန်အားဖြင့် ပျော့ပျောင်းတဲ့သတ္တု ဒါမှမဟုတ် ဂရပ်ဖိုက် gasket နဲ့ တွဲဖက်အသုံးပြုလေ့ရှိပါတယ် — 800°C အထိ အပူချိန်နဲ့ ပြင်းထန်တဲ့ ပလာစမာ ဒါမှမဟုတ် ဓာတုပတ်ဝန်းကျင်တွေမှာ ယုံကြည်စိတ်ချရတဲ့ vacuum ဒါမှမဟုတ် ဓာတ်ငွေ့ထိန်းချုပ်နိုင်စွမ်းကို ပေးစွမ်းနိုင်ပါတယ်။ ဒီပစ္စည်းက ဓာတ်ငွေ့ထွက်ရှိမှု လုံးဝမရှိခြင်း၊ မြင့်မားတဲ့ compressive strength (အခြေခံ flexural strength 361 MPa) နဲ့ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ မတည်မငြိမ်ဖြစ်မှု (HF မှလွဲ၍ ဟေလိုဂျင်၊ အက်ဆစ်နဲ့ အယ်ကာလီတွေကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း) တို့ကို ပေးစွမ်းပါတယ်။ တိကျစွာဖုံးအုပ်ထားတဲ့ အဖုံးမျက်နှာပြင်များ (ပြားချပ်မှု ≤5 μm၊ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု Ra ≤0.2 μm) က သတ္တု ဒါမှမဟုတ် ကြွေထည်အစိတ်အပိုင်းတွေနဲ့ ယိုစိမ့်မှုကင်းတဲ့ ထိတွေ့မှုကို သေချာစေပါတယ်။
-
Plasma Etch & CVD စနစ်များအတွက် မြင့်မားသောသန့်စင်မှု အလူမီနာ အခန်း အာရုံစူးစိုက်မှု လက်စွပ်
St.Cera ရဲ့ chamber focus ring ဟာ plasma etch၊ CVD နဲ့ PVD semiconductor စက်ပစ္စည်းတွေမှာ အသုံးပြုတဲ့ အရေးကြီးတဲ့ process kit အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်ပါတယ်။ ၉၉.၈% မြင့်မားတဲ့ purity alumina (Al₂O₃) မှ ထုတ်လုပ်ထားတဲ့ ဒီ ring ဟာ wafer အနားကို ဝန်းရံထားပြီး plasma ကို ကန့်သတ်ပြီး ion angular distribution ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ပေးတာကြောင့် wafer မျက်နှာပြင်တစ်လျှောက် etch uniformity ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပါတယ်။ ဒီပစ္စည်းဟာ plasma resistance မြင့်မားခြင်း၊ dielectric strength မြင့်မားခြင်း (15×10⁶ V/m) နဲ့ 1600°C အထိ thermal stability မြင့်မားခြင်းတို့ကို ပေးစွမ်းပြီး fluorine ဒါမှမဟုတ် chlorine-based plasma ပတ်ဝန်းကျင်တွေမှာ ရေရှည်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သေချာစေပါတယ်။ တိကျစွာ ground လုပ်ထားတဲ့ ID/OD နဲ့ flatness (≤10 μm) ကြောင့် wafer အနားကို တိကျစွာ positioning လုပ်နိုင်ပြီး အနား defect တွေနဲ့ particle တွေ ဖြစ်ပေါ်မှုကို လျော့ကျစေပါတယ်။
-
CVD / PVD လုပ်ငန်းစဉ်အခန်းများအတွက် မြင့်မားသောသန့်စင်မှု အလူမီနာကြွေလက်စွပ်
St.Cera ရဲ့ ကြွေထည်ကွင်းကို CVD (ဓာတုဗေဒ အငွေ့စုပုံခြင်း) နဲ့ PVD (ရူပဗေဒ အငွေ့စုပုံခြင်း) လုပ်ငန်းစဉ် အခန်းတွေမှာ အသုံးပြုရန် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါတယ်။ ၉၉.၈% မြင့်မားတဲ့ သန့်ရှင်းမှုရှိတဲ့ အလူမီနာ (Al₂O₃) မှ ထုတ်လုပ်ထားတဲ့ ဒီကွင်းဟာ အခန်းအတွင်းခံ၊ အာရုံစူးစိုက်မှုကွင်း ဒါမှမဟုတ် လုပ်ငန်းစဉ်ကိရိယာ အစိတ်အပိုင်းအဖြစ် ပလာစမာကို ကန့်သတ်ပြီး အခန်းနံရံတွေကို တိုက်စားမှုကနေ ကာကွယ်ပေးပါတယ်။ ဒီပစ္စည်းက ပလာစမာကို ခံနိုင်ရည်ကောင်းမွန်ခြင်း၊ မြင့်မားတဲ့ dielectric strength (15×10⁶ V/m) နဲ့ ၁၆၀၀°C အထိ အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုတို့ကို ပေးစွမ်းပြီး ပြင်းထန်တဲ့ ဖလိုရင်းအခြေခံ ပလာစမာပတ်ဝန်းကျင်မှာ ကြာရှည်ခံတဲ့ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သေချာစေပါတယ်။ တိကျတဲ့ အတိုင်းအတာ ခံနိုင်ရည်ရှိမှု (ID/OD မှာ ±0.05 mm) နဲ့ ပြားချပ်မှု (≤10 μm) တို့က wafer အနားသတ်တွေကို တသမတ်တည်း ထားရှိနိုင်စေပြီး deposition ညီညာမှုကို တိုးတက်စေပြီး အမှုန်ထုတ်လုပ်မှုကို လျှော့ချပေးပါတယ်။
-
ကောက်ကွေးနေသော ဝေဖာကိုင်တွယ်ရန်အတွက် အပေါက်များသော ကြွေဖုန်စုပ်ချပ်
St.Cera ရဲ့ porous ceramic chuck ကို open porosity 30–45% နဲ့ pore size 10 မှ 100 μm အထိရှိတဲ့ high-purity alumina နဲ့ ပြုလုပ်ထားပါတယ်။ ရိုးရာ grooved chuck တွေနဲ့မတူဘဲ porous မျက်နှာပြင်က wafer နောက်ကျောတစ်ခုလုံးမှာ ဖြန့်ဝေထားတဲ့ vacuum ကို ပေးစွမ်းပြီး ကွေးညွှတ်နေတဲ့၊ ပါးလွှာတဲ့ ဒါမှမဟုတ် singled wafers တွေကို အနားသတ်တွေ မတက်ဘဲ ထိရောက်စွာ ထိန်းထားပေးပါတယ်။ နူးညံ့တဲ့ vacuum (restrictor မှတစ်ဆင့် ချိန်ညှိနိုင်တဲ့) က backside marking ကိုလည်း ကာကွယ်ပေးပါတယ်။
-
ပါးလွှာသော ဝေဖာကိုင်တွယ်မှုအတွက် အလူမီနာအခြေခံ အပေါက်များသော ကြွေထည်ဗန်းချွတ်
St.Cera ရဲ့ အလူမီနာအခြေခံ porous chuck ကို ၉၉.၆% မြင့်မားတဲ့ သန့်ရှင်းမှုရှိတဲ့ Al₂O₃ နဲ့ ပြုလုပ်ထားပြီး ၃၀-၄၅% ထိန်းချုပ်ထားတဲ့ open porosity နဲ့ ၁၀ မှ ၅၀ μm အထိ တစ်ပြေးညီ pore size ရှိပါတယ်။ grooved chuck တွေနဲ့ မတူဘဲ porous မျက်နှာပြင်က wafer နောက်ကျောတစ်ခုလုံးမှာ ဖြန့်ဝေထားတဲ့ vacuum ကို ပေးစွမ်းပြီး အနားသတ်တွေကို ဖယ်ရှားပေးပြီး အလွန်ပါးလွှာတဲ့ (≤၁၀၀ μm) ဒါမှမဟုတ် ကွေးညွှတ်နေတဲ့ wafers တွေကို ညင်သာစွာ ကိုင်တွယ်နိုင်ပါတယ်။ ဒီပစ္စည်းက flexural strength ≥250 MPa နဲ့ လေထဲမှာ ၄၀၀°C အထိ thermal stability ကို ပေးစွမ်းပါတယ်။
-
CVD/PVD ရေချိုးခေါင်းအတွက် အလူမီနာဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးရေးပြား
St.Cera ရဲ့ ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးရေးပြား (ရေချိုးခန်းခေါင်း) ကို မြင့်မားတဲ့သန့်စင်မှု ၉၉.၈% အလူမီနာကြွေထည်နဲ့ တိကျစွာပြုလုပ်ထားပါတယ်။ ၎င်းမှာ CVD၊ PVD သို့မဟုတ် ALD လုပ်ငန်းစဉ်များအတွင်း wafer မျက်နှာပြင်တစ်လျှောက် ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုကို တစ်ပြေးညီဖြစ်စေမယ့် မိုက်ခရိုအပေါက်များ (အချင်း ၀.၃–၁.၅ မီလီမီတာ) အများအပြားပါရှိပါတယ်။ ပြားရဲ့ မြင့်မားတဲ့ dielectric strength (>15×10⁶ V/m) နဲ့ plasma resistance က semiconductor thin-film deposition အတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါတယ်။
